Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com AUIRS20161S
Référence fabricantAUIRS20161S
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitDurée de conservation
quantité disponible11310 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article AUIRS20161S
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
Configuration pilotée High-Side
Type de canal Single
Nombre de pilotes 1
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.4 V ~ 6.5 V
Tension logique - VIL, VIH -
Courant - sortie de crête (source, évier) 500mA, 500mA
Type d'entrée Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 150V
Rise / Fall Time (Typ) 200ns, 200ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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