Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN1019UVT-7
Référence fabricantDMN1019UVT-7
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible148470 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique DMN1019UVT-7.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article DMN1019UVT-7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 50.4nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2588pF @ 10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.73W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TSOT-26
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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