Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN2016UTS-13
Référence fabricantDMN2016UTS-13
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible14330 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique DMN2016UTS-13.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article DMN2016UTS-13
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1495pF @ 10V
Puissance - Max 880mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-TSSOP
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Diodes Incorporated Distributeur

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