Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN3012LFG-7
Référence fabricantDMN3012LFG-7
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible183610 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMN3012LFG-7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Puissance - Max 2.2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerLDFN
Package de périphérique fournisseur PowerDI3333-8
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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