Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN33D8LT-13
Référence fabricantDMN33D8LT-13
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible131460 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 30V 0.115A
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique DMN33D8LT-13.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article DMN33D8LT-13
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.55nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 5V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 240mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-523
Paquet / cas SOT-523
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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