Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN63D1LDW-13
Référence fabricantDMN63D1LDW-13
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible170290 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique DMN63D1LDW-13.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article DMN63D1LDW-13
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Puissance - Max 310mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur SOT-23
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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