Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN63D8LDWQ-7
Référence fabricantDMN63D8LDWQ-7
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible36130 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMN63D8LDWQ-7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SOT-363
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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