Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN66D0LDW-7
Référence fabricantDMN66D0LDW-7
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible121530 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMN66D0LDW-7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V
Puissance - Max 250mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SOT-363
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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