Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMTH6009LPS-13
Référence fabricantDMTH6009LPS-13
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible460424 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMTH6009LPS-13
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±16V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerDI5060-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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