Référence fabricant | EPC2101 |
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Fabricant | EPC |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
quantité disponible | 89320 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | EPC2101.pdf |
Numéro d'article | EPC2101 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET Caractéristique | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | Die |
Package de périphérique fournisseur | Die |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | EPC2101 |
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