ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com FDC365P
Référence fabricantFDC365P
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible145420 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique FDC365P.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article FDC365P
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 35V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 705pF @ 20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-SSOT
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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