ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com FDD306P
Référence fabricantFDD306P
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible102340 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique FDD306P.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article FDD306P
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 6V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 52W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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