ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com FDMA410NZ
Référence fabricantFDMA410NZ
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible111340 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique FDMA410NZ.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article FDMA410NZ
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.4W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-MicroFET (2x2)
Paquet / cas 6-VDFN Exposed Pad
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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