ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com H11B1M
Référence fabricantH11B1M
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitOpto-isolateurs - Transistors, sortie photovoltaïque
quantité disponible36010 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique H11B1M.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article H11B1M
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Nombre de canaux 1
Voltage - Isolation 4170Vrms
Rapport de transfert actuel (Min) 500% @ 1mA
Rapport de transfert actuel (Max) -
Activer / désactiver le temps (Typ) 25µs, 18µs
Rise / Fall Time (Typ) -
Type d'entrée DC
Le type de sortie Darlington with Base
Tension - Sortie (Max) 30V
Courant - Sortie / Canal 150mA
Tension - Avant (Vf) (Typ) 1.2V
Courant - DC Forward (If) (Max) 80mA
Vce Saturation (Max) 1V
Température de fonctionnement -40°C ~ 100°C
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur 6-DIP
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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