Référence fabricant | HIP6601BCBZ |
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Fabricant | Renesas Electronics America Inc. |
catégorie de produit | Durée de conservation |
quantité disponible | 145040 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | HIP6601BCBZ.pdf |
Numéro d'article | HIP6601BCBZ |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Last Time Buy |
Configuration pilotée | Half-Bridge |
Type de canal | Synchronous |
Nombre de pilotes | 2 |
Type de porte | N-Channel MOSFET |
Tension - Alimentation | 10.8 V ~ 13.2 V |
Tension logique - VIL, VIH | - |
Courant - sortie de crête (source, évier) | - |
Type d'entrée | Non-Inverting |
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | 15V |
Rise / Fall Time (Typ) | 20ns, 20ns |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | HIP6601BCBZ |
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