Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IPD65R250E6XTMA1
Référence fabricantIPD65R250E6XTMA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible176190 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IPD65R250E6XTMA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 400µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 1000V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 208W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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