Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IPG20N06S2L35AATMA1
Référence fabricantIPG20N06S2L35AATMA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible46010 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 8TDSON
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IPG20N06S2L35AATMA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 27µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 25V
Puissance - Max 65W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8-10
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Infineon Technologies Distributeur

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