Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IRF6709S2TR1PBF
Référence fabricantIRF6709S2TR1PBF
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible94950 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IRF6709S2TR1PBF
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 13V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DIRECTFET S1
Paquet / cas DirectFET™ Isometric S1
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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