Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com IRFBE30
Référence fabricantIRFBE30
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible172730 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique IRFBE30.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article IRFBE30
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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