ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributeur www.qycomp.com IS43DR86400C-25DBLI
Référence fabricantIS43DR86400C-25DBLI
FabricantISSI, Integrated Silicon Solution Inc
catégorie de produitMémoire
quantité disponible35710 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IS43DR86400C-25DBLI
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR2
Taille mémoire 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge 400MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 400ps
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.9 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 60-TFBGA
Package de périphérique fournisseur 60-TWBGA (8x10.5)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange IS43DR86400C-25DBLI

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