| Référence fabricant | IXDN602SI |
|---|---|
| Fabricant | IXYS Integrated Circuits Division |
| catégorie de produit | Durée de conservation |
| quantité disponible | 192320 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | IXDN602SI.pdf |
| Numéro d'article | IXDN602SI |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Configuration pilotée | Low-Side |
| Type de canal | Independent |
| Nombre de pilotes | 2 |
| Type de porte | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tension - Alimentation | 4.5 V ~ 35 V |
| Tension logique - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Courant - sortie de crête (source, évier) | 2A, 2A |
| Type d'entrée | Non-Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 7.5ns, 6.5ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC-EP |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | IXDN602SI |
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