Référence fabricant | IXDN602SIATR |
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Fabricant | IXYS Integrated Circuits Division |
catégorie de produit | Durée de conservation |
quantité disponible | 145400 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | IXDN602SIATR.pdf |
Numéro d'article | IXDN602SIATR |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Configuration pilotée | Low-Side |
Type de canal | Independent |
Nombre de pilotes | 2 |
Type de porte | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
Tension - Alimentation | 4.5 V ~ 35 V |
Tension logique - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
Courant - sortie de crête (source, évier) | 2A, 2A |
Type d'entrée | Non-Inverting |
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 7.5ns, 6.5ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | IXDN602SIATR |
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