IXYS Distributeur www.qycomp.com IXTQ200N10T
Référence fabricantIXTQ200N10T
FabricantIXYS
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible20410 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IXTQ200N10T
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 550W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-3P
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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