Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com JAN1N6622US
Référence fabricantJAN1N6622US
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitDiodes - Redresseurs - Simples
quantité disponible171740 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionDIODE GEN PURP 660V 2A D5A
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique JAN1N6622US.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article JAN1N6622US
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 660V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1.2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.4V @ 1.2A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 500nA @ 660V
Capacitance @ Vr, F 10pF @ 10V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SQ-MELF, A
Package de périphérique fournisseur D-5A
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 150°C
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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