ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com MJ11012G
Référence fabricantMJ11012G
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Simples
quantité disponible141020 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique MJ11012G.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article MJ11012G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 300mA, 30A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 20A, 5V
Puissance - Max 200W
Fréquence - Transition 4MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-204AA, TO-3
Package de périphérique fournisseur TO-204 (TO-3)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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