Référence fabricant | MJD112-001 |
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Fabricant | ON Semiconductor |
catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples |
quantité disponible | 11380 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | MJD112-001.pdf |
Numéro d'article | MJD112-001 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 20µA |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Puissance - Max | 1.75W |
Fréquence - Transition | 25MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Package de périphérique fournisseur | I-PAK |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | MJD112-001 |
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