| Référence fabricant | MURTA20060R |
|---|---|
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Matrices |
| quantité disponible | 49650 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | MURTA20060R.pdf |
| Numéro d'article | MURTA20060R |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Configuration de diode | 1 Pair Common Anode |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 100A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 100A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 600V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Three Tower |
| Package de périphérique fournisseur | Three Tower |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | MURTA20060R |
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