ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com NVMFS6B85NLT1G
Référence fabricantNVMFS6B85NLT1G
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible29630 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article NVMFS6B85NLT1G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta), 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / cas 8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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