Nexperia USA Inc. Distributeur www.qycomp.com PSMN1R2-25YLDX
Référence fabricantPSMN1R2-25YLDX
FabricantNexperia USA Inc.
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible16930 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionPSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article PSMN1R2-25YLDX
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 60.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4327pF @ 12V
FET Caractéristique Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (Max) 172W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange PSMN1R2-25YLDX

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