Référence fabricant | SSM6J212FE,LF |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
quantité disponible | 56010 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | SSM6J212FE,LF.pdf |
Numéro d'article | SSM6J212FE,LF |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | ES6 |
Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | SSM6J212FE,LF |
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