Transphorm Distributeur www.qycomp.com TPH3206PD
Référence fabricantTPH3206PD
FabricantTransphorm
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible150200 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 600V 17A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique TPH3206PD.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article TPH3206PD
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±18V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 480V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 96W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220
Paquet / cas TO-220-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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