Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com ZXMN2A01FTA
Référence fabricantZXMN2A01FTA
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible56940 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique ZXMN2A01FTA.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article ZXMN2A01FTA
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 303pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 625mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23-3
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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