Numero di parte del produttore | 1N4446_T50R |
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fabbricante | ON Semiconductor |
Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
Quantità disponibile | 116850 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | 1N4446_T50R.pdf |
Numero di parte | 1N4446_T50R |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 20mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | 1N4446_T50R |
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