| Numero di parte del produttore | 1N6483HE3/96 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
| Quantità disponibile | 80370 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | 1N6483HE3/96.pdf |
| Numero di parte | 1N6483HE3/96 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | 1N6483HE3/96 |
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