Numero di parte del produttore | 2N2907AE4 |
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fabbricante | Microsemi Corporation |
Categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli |
Quantità disponibile | 178690 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | 2N2907AE4.pdf |
Numero di parte | 2N2907AE4 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | 2N2907AE4 |
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