Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com APT100GT120JR
Numero di parte del produttoreAPT100GT120JR
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile133110 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 1200V 123A 570W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati APT100GT120JR.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte APT100GT120JR
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 123A
Potenza - Max 570W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6.7nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio APT100GT120JR

Come comprare APT100GT120JR con i componenti QY?

I componenti QY hanno il prezzo migliore per APT100GT120JR, vendiamo solo ricambi originali.

Se vuoi comprare APT100GT120JR, puoi inviare una richiesta di preventivo o inviarci una e-mail, ti invieremo il preventivo entro 12 ore. Dopo la quotazione, è possibile effettuare l'ordine per APT100GT120JR, ti invieremo la nostra fattura e ti spediremo in qualsiasi paese.

La nostra email: [email protected]

Microsemi Corporation Distributore

I componenti QY sono un distributore di calze di Microsemi Corporation tutte le serie Transistor - IGBT - Moduli componenti. È inoltre possibile acquistare altre parti di Microsemi Corporation e Transistor - IGBT - Moduli da noi. Ad esempio MASMCJ170A, MASMCJ170AE3, MASMCJ17A, MASMCJ17AE3, MASMCJ18A, MASMCJ18AE3, MASMCJ20A, MASMCJ20AE3, MASMCJ22A, MASMCJ22AE3 VS-ETF150Y65N, BSM100GB60DLCHOSA1, FF200R12KE4HOSA1, FPF2G120BF07AS, FF300R12KE3HOSA1, FF300R12ME4BOSA1, FZ800R12KE3HOSA1, FS200R07PE4BOSA1, FF300R17KE3HOSA1, FS150R12KT4BOSA1.

Acquistare Microsemi Corporation APT100GT120JR con noi, risparmia tempo e denaro.

Richiesta di offerta

prodotti correlati

Microsemi Corporation

DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Microsemi Corporation

IGBT 600V 120A 416W SOT227

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Microsemi Corporation

IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Microsemi Corporation

DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Microsemi Corporation

DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247

Microsemi Corporation

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247