| Numero di parte del produttore | APT10M11B2VFRG |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi Corporation |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 70800 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | APT10M11B2VFRG.pdf |
| Numero di parte | APT10M11B2VFRG |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 450nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | APT10M11B2VFRG |
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