Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com APT25SM120B
Numero di parte del produttoreAPT25SM120B
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile129250 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizionePOWER MOSFET - SIC
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati APT25SM120B.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte APT25SM120B
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V
Vgs (massimo) +25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 175W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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Microsemi Corporation Distributore

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