Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com APT50GN60BDQ2G
Numero di parte del produttoreAPT50GN60BDQ2G
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile33410 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 600V 107A 366W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati APT50GN60BDQ2G.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte APT50GN60BDQ2G
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 107A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
Potenza - Max 366W
Cambiare energia 1185µJ (on), 1565µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 325nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 20ns/230ns
Condizione di test 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B]
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio APT50GN60BDQ2G

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Microsemi Corporation Distributore

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