Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com APTC60HM70BT3G
Numero di parte del produttoreAPTC60HM70BT3G
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile146070 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati APTC60HM70BT3G.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte APTC60HM70BT3G
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
Potenza - Max 250W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio APTC60HM70BT3G

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