Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com APTM100H35FTG
Numero di parte del produttoreAPTM100H35FTG
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile152910 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati APTM100H35FTG.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte APTM100H35FTG
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Potenza - Max 390W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP4
Pacchetto dispositivo fornitore SP4
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio APTM100H35FTG

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Microsemi Corporation Distributore

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