Texas Instruments Distributore www.qycomp.com CSD19538Q2T
Numero di parte del produttoreCSD19538Q2T
fabbricanteTexas Instruments
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile472591 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati CSD19538Q2T.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte CSD19538Q2T
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 454pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WSON (2x2)
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio CSD19538Q2T

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