Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMN2029USD-13
Numero di parte del produttoreDMN2029USD-13
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile42650 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMN2029USD-13.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMN2029USD-13
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1171pF @ 10V
Potenza - Max 1.2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DMN2029USD-13

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Diodes Incorporated Distributore

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