Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMT6010LSS-13
Numero di parte del produttoreDMT6010LSS-13
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile178320 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMT6010LSS-13.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMT6010LSS-13
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2090pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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