ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com FDS3170N7
Numero di parte del produttoreFDS3170N7
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile183620 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati FDS3170N7.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte FDS3170N7
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2714pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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