Global Power Technologies Group Distributore www.qycomp.com GP2M002A065FG
Numero di parte del produttoreGP2M002A065FG
fabbricanteGlobal Power Technologies Group
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile152840 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati GP2M002A065FG.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte GP2M002A065FG
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 17.3W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio GP2M002A065FG

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Global Power Technologies Group Distributore

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