Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IPD60R360P7ATMA1
Numero di parte del produttoreIPD60R360P7ATMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile161330 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IPD60R360P7ATMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IPD60R360P7ATMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 41W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IPD60R360P7ATMA1

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