Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IRF6655TR1PBF
Numero di parte del produttoreIRF6655TR1PBF
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile89660 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRF6655TR1PBF.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRF6655TR1PBF
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.8V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ SH
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric SH
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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