Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IRF8306MTR1PBF
Numero di parte del produttoreIRF8306MTR1PBF
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile166070 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRF8306MTR1PBF.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRF8306MTR1PBF
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 140A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4110pF @ 15V
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 75W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric MX
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IRF8306MTR1PBF

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