Vishay Siliconix Distributore www.qycomp.com IRFD210PBF
Numero di parte del produttoreIRFD210PBF
fabbricanteVishay Siliconix
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile49570 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRFD210PBF.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRFD210PBF
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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Vishay Siliconix Distributore

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